Pengaruh Tekanan Parsial Oksigen Terhadap Koefisien Absorpsi Lapisan Tipis Indium Tin Oxide (ITO)

Muslimin Muslimin(1*),

(1) Universitas Tadulako
(*) Corresponding Author




DOI: https://doi.org/10.35580/sainsmat127432012

Abstract


DOWNLOAD PDF

Proses  absorpsi  foton  dengan  energi  tertentu  akan  mengeksitasi  elektron  darikeadaan energi yang lebih rendah ke keadaan energi yang lebih tinggi. Untuk menentukankoefisien  ini  secara  eksperimen  terutama  karena  adanya  pengaruh  interferensi  optis  daripola-pola  transmitansi  dan  reflektansi.  Tujuan  penelitian  ini  adalah  untuk  menentukanbesarnya absorpsi lapisan tipis In2O3: SnO2dengan berbagai kadar oksigen yang diberikanpada saat deposisi. Proses pelapisan dilakukan 90% berat In2O3 dan 10% berat SnO2padasubstrat kaca dengan cara sputtering. Pada saat sputtering dilakukan penambahan oksigentertentu  yaitu  2,50%,  3,70%,  5,10%,  6,15%  dan  8,90%  yang  dilakukan  deposisi  padatemperature 1750C. Hasil analisis teramati adanya pergeseran interferensi dan transmitansike arah panjang gelombang yang lebih pendek sebanding dengan kenaikan kadar oksigen.Pada  kadar  oksigen  2,50%  dan  3,70%  koefisien  absorbsi  makin  naik,  tetapi  pada  kadaroksigen  5,10%,  6,15%  dan   8,90%  koefisien  absorpsi  mulai  menurun.  Perlakuan  kadaroksigen  pada  saat  deposisi  lapisan  tipis  ITO  dapat  mempengaruhi  koefisien  absorpsilapisan tipis yang terbentuk.

Kata kunci : Kadar oksigen, koefisien absorpsi


Full Text:

PDF

Article Metrics

Abstract view : 799 times | PDF view : 166 times

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


Copyright (c)